PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

Name: PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (177 reviews)

Alle Produkte

Szintillator-Kristall
(66)

Szintillationskristall
(58)

Scintillator-Detektor
(47)

Scintillator-Reihe
(34)

Einzelner Crystal Substrate
(33)

Piezoelektrischer Kristall
(2)

Optisches Glasfenster
(6)

Halbleiterwafer
(19)

Multi Kanal-Analysator
(2)

X-Strahl Detektor-Komponenten
(6)

Optikkristall Acousto
(6)

Sapphire Crystal Wafer
(4)

Beste Produkte

Kristallscheibe der hohe Flachheits-hohe Gitteranpassungs-MCT CZT Crystal Semiconductor

Hochenergie-Entschließung CdTe-Substrat CdTe-Halbleiter Wafer

Energie-Spektrum und Lebensmittelsicherheit, die Sonde des Halbleiterwafer-CZT ermitteln

Bescheinigung

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. zertifizierungen

Ich bin online Chat Jetzt

PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

Großes Bild : PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	Kinheng
Zertifizierung:	ISO

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1pc
Preis:	Negotiable
Verpackung Informationen:	Schaumkasten
Lieferzeit:	4-6 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	10000pcs/year

Kontakt

PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

Beschreibung

Struktur:	R3m, rhomboedrisch	Gitter:	a0 ~ 4,024 Å
Schmelzpunkt (℃):	1280	Dichte (g/cm3):	8.1
Piezoelektrischer Koeffizient d33:	>2000 pC/N	Dielektrischer Verlust:	tan d < 0,9
Chemische Zusammensetzung:	(PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x	Zusammensetzung:	nahe der morphotropen Phasengrenze
Markieren:	PMN-PT Halbleiterwafer , R3m-einzelnes Kristallsubstrat , Kinheng-Halbleiterwafer

Hohes elektromechanisches Kopplungskoeffizient PMN-PT einzelnes Kristallsubstrat

PMN-PT Kristall bekannt für seinen extrem hohen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten, hohen piezoelektrischen Koeffizienten, hohe Belastung und niedrigen dielektrischen Verlust.

Eigenschaften:

Chemische Zusammensetzung	(PbMg 0,33 Notiz: 0,67) 1-x: (PbTiO3) x
Struktur	R3m, rautenförmig
Gitter	a0 \| 4.024Å
Schmelzpunkt (℃)	1280
Dichte (g/cm3)	8,1
Piezoelektrischer Koeffizient d33	>2000 pC/N
Dielektrischer Verlust	bräunen Sie d <0>
Zusammensetzung	nahe der morphotropic Phasengrenze

Vorteil:

Glattheit 1.High
2.High Gitteranpassung (MCT)
3.Low Versetzungsdichte
Infrarotbeförderung 4.High

Produktschüsse:

PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat 0

FAQ:

1.Q: Sind Sie ein Fabrikhersteller?

: Ja sind wir Hersteller mit 13 Jahren Erfahrung in der scintillator Kristallindustrie und lieferten viele berühmten Marken mit guter Qualität und Service.

2.Q: Wo ist Ihr Hauptmarkt?

: Europa, Amerika, Asien.

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Ivan. wang

Telefon: 18964119345

Andere Produkte

CZT-Halbleiterwafer-Röntgenstrahl und optische Modulation Gammastrahl-Detektor-Lasers

Kristall: CdZnTe CZT

Leitfähigkeitsart: P-Art

Orientierung: (211), (111)

Widerstand: >106Ω.Cm

Hohes Infrarotbeförderung GaAs-Substrat einzelner Crystal Substrate

Lackierte Wahl: Keine, Si, Cr, F.E., Zn

Größen (Millimeter): 10x10mm

Oberflächenrauigkeit: Oberflächenrauigkeit (Ra): <= 5A

Polnisch: Einfache oder doppelte Seite poliert (Standard ist SSP)

GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie

Wachstumsmethode: Czochralski-Methode

Kristallstruktur: M3

Einheits-Zellkonstante: a=5.65754 Å

Dichte (g/cm3): 5,323

Ausgezeichnetes thermisches mechanische Eigenschaften-Silikon-Karbid-Oblaten-sic Substrat

Einzelteil: 2 Zoll 4H N-artig

Durchmesser: 2inch (50.8mm)

Stärke: 350+/-25um

Orientierung: weg von der Achse 4.0˚ in Richtung zu <1120>-± 0.5˚

Sic Halbleiterwafer-schnelle Geschwindigkeits-kleine starke große Leistungsfähigkeit kosteneffektiv

Produkt-Name: Sic Substrat, sic Halbleiterwafer

Vollständiger Name: Silikon-Karbid Crystal Substrate

chemische Formel: Sic

Grad 1: Produktionsgrad

PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

Szintillator-Kristall

Szintillationskristall

Scintillator-Detektor

Scintillator-Reihe

Einzelner Crystal Substrate

Piezoelektrischer Kristall

Optisches Glasfenster

Halbleiterwafer

Multi Kanal-Analysator

X-Strahl Detektor-Komponenten

Optikkristall Acousto

Sapphire Crystal Wafer

Kristallscheibe der hohe Flachheits-hohe Gitteranpassungs-MCT CZT Crystal Semiconductor

Hochenergie-Entschließung CdTe-Substrat CdTe-Halbleiter Wafer

Energie-Spektrum und Lebensmittelsicherheit, die Sonde des Halbleiterwafer-CZT ermitteln

PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal Substrat

PMN-PT Halbleiterwafer

R3m-einzelnes Kristallsubstrat

Kinheng-Halbleiterwafer

CZT-Halbleiterwafer,

Gammastrahl czt Kristallscheibe,

Halbleiterwafer-Röntgenstrahl

CZT-Halbleiterwafer-Röntgenstrahl und optische Modulation Gammastrahl-Detektor-Lasers

Hohes Infrarotbeförderung GaAs-Substrat einzelner Crystal Substrate

GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie

Ausgezeichnetes thermisches mechanische Eigenschaften-Silikon-Karbid-Oblaten-sic Substrat

Sic Halbleiterwafer-schnelle Geschwindigkeits-kleine starke große Leistungsfähigkeit kosteneffektiv

Szintillator-Kristall

Energie-Spektralanalyse-Umwelt, die Cer-Bromid Scintillator CeBr3 überwacht

Glanzpunkt erbringt schneller Antwort hygroskopischen Kristall CeBr3 Scintillator

20ns Ausschwingzeit-niedriger Hintergrund der 3% Energie-Entschließungs-LaBr3 Scintillator Kristall-

Szintillationskristall

Szintillation Crystal Gamma Detection Radiation Counting der Erdölindustrie-LaBr3

Ausgezeichnete Szintillation Crystal Fast Decay Time der Energie-Entschließungs-LaBr3

Gamma-Detektor Cäsiumjodid-Szintillationskristall