GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie

Name: GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (104 reviews)

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Bescheinigung

China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. zertifizierungen

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GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie

Großes Bild : GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	Kinheng
Zertifizierung:	ISO

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	1pc
Preis:	Negotiable
Verpackung Informationen:	Schaumkasten
Lieferzeit:	4-6 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	10000pcs/year

Kontakt

GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie

Beschreibung

Wachstumsmethode:	Czochralski-Methode	Kristallstruktur:	M3
Einheits-Zellkonstante:	a=5.65754 Å	Dichte (g/cm3):	5,323
Schmelzpunkt (℃):	937,4	Crystal Orientation:	<100><110><111>, ±0.5º
Ra:	≤5Å (5µm×5µm)	Polnisch:	einfach oder doppelt
Markieren:	GE-Halbleiterwafer , GE-Substrat IC-Industrie , Halbleiterwafer M3

Infrarot und IC-Industrie GE-Substrat GE-Halbleiterwafer

Germanium ist ein chemisches Element mit dem Symbol GE und der Ordnungszahl 32. Es ist ein glänzendes, hart-sprödes, grauliches weißes Metalloid in der Kohlenstoffgruppe, ein chemisch ähnlich seinen Gruppennachbarn Silikon und Zinn. Einzelner Kristall GEs ist ausgezeichneter Halbleiter für Infrarot und IC-Industrie.

Eigenschaften:

Wachstums-Methode	Czochralski-Methode
Crystal Structure	M3
Einheits-Zellkonstante	a=5.65754 Å
Dichte (g/cm3)	5,323
Schmelzpunkt (℃)	937,4
Lackiertes Material	Kein lackiert	Sb-lackiert	In/GA – lackiert
Art	/	N	P
Widerstandskraft	>35Ωcm	0.05Ωcm	0.05~0.1Ωcm
EPD	<4×103∕cm2	<4×103∕cm2	<4×103∕cm2
Größe	10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20,
	dia2“ x 0.33mm dia2“ x 0.43mm 15 x 15 Millimeter
Stärke	0.5mm, 1.0mm
Polnisch	Einfach oder doppelt
Crystal Orientation	<100><110><111>, ±0.5º
Ra	≤5Å (5µm×5µm)

Vorteil:

1.Sb/N lackierte

Lackieren 2.No

3.Semiconductor

Produktschüsse:

GE-Substrat-GE-Halbleiterwafer-Infrarot und IC-Industrie 0

FAQ:

1.Q: Sind Sie ein Fabrikhersteller?

: Ja sind wir Hersteller mit 13 Jahren Erfahrung in der scintillator Kristallindustrie und lieferten viele berühmten Marken mit guter Qualität und Service.

2.Q: Wo ist Ihr Hauptmarkt?

: Europa, Amerika, Asien.

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Ivan. wang

Telefon: 18964119345

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Lackierte Wahl: Keine, Si, Cr, F.E., Zn

Größen (Millimeter): 10x10mm

Oberflächenrauigkeit: Oberflächenrauigkeit (Ra): <= 5A

Polnisch: Einfache oder doppelte Seite poliert (Standard ist SSP)

Ausgezeichnetes thermisches mechanische Eigenschaften-Silikon-Karbid-Oblaten-sic Substrat

Einzelteil: 2 Zoll 4H N-artig

Durchmesser: 2inch (50.8mm)

Stärke: 350+/-25um

Orientierung: weg von der Achse 4.0˚ in Richtung zu <1120>-± 0.5˚

Sic Halbleiterwafer-schnelle Geschwindigkeits-kleine starke große Leistungsfähigkeit kosteneffektiv

Produkt-Name: Sic Substrat, sic Halbleiterwafer

Vollständiger Name: Silikon-Karbid Crystal Substrate

chemische Formel: Sic

Grad 1: Produktionsgrad

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Struktur: R3m, rhomboedrisch

Gitter: a0 ~ 4,024 Å

Schmelzpunkt (℃): 1280

Dichte (g/cm3): 8.1

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